Así son los Helio X30, Snapdragon 830 y Exynos 8895 que veremos en 2017

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Hace unas horas que MediaTek ha anunciado de forma oficial el 1.er procesador(CPU) que se fabricará en 10(diez) nanómetros, el Helio X30, un procesador(CPU) del que habíamos conocido ya muchas características que se han reafirmado hoy con esta presentación. Este será el procesador(CPU) más potente de MediaTek que observaremos en algunos buques insignia de 2017. La terna de procesadores que estarán presentes en los teléfonos más potentes del próximo año se completará con los Snapdragon® 830 y el Exynos 8895, chips que también se fabricarán bajo la tecnología de 10(diez) nanómetros.

MediaTek ha puesto toda la carne en el asador con su renovado procesador(CPU) de 10nm, el Helio X30 del que ya se conocían prácticamente todos los detalles que hemos conocido en su presentación.

Ya lo decía este artículo, el renovado procesador(CPU) de MediaTek viene al comercio para plantar cara al Snapdragon® 830 que ahora mismo se descubre en crecimiento por parte de Qualcomm, vamos a mirar lo que no ofrecerán estos tres colosos, que moverán a los móviles más potentes de 2017.

Helio X30, más resistencia y menos consumo

El recién anunciado por MediaTek nos proporciona diez núcleos y una fabricación de 10(diez) nanómetros, y usa un diseño tri-cluster que consiste en dos núcleos Cortex A73 a 2,8GHz, cuatro núcleos Cortex A53 a 2,3GHz y otros cuatro núcleos Cortex A35 a 2.0GHz. Estos núcleos A73 bridan un mayor desempeño y menor consumo de energía que los A72 de previos generaciones. Los Cortex A35 son los núcleos más eficientes de ARM en términos de energía mientras que los Cortex A53 son los más equilibrados de ARM.

Esta combinación de nuevos núcleos obtiene un aumento del 43% en el desempeño consiguiendo consumir un 53% menos de energía sobre el previo Helio X20. Además un aspecto muy importante, como la GPU, recibe un enorme cambio, ya que pasa de montar la Mali T880 a una PowerVR 7XT, que proporciona un desempeño 2,4 veces más potente y reduce el consumo de energía en un 58%.

Snapdragon 830, regreso a los ocho núcleos

Los problemas de sobrecalentamiento que vimos en el Snapdragon® 810 inclinaron a Qualcomm® a recular y brindar su primordial procesador(CPU) con sólo cuatro núcleos. Unos 4(cuatro) núcleos que han regalado la talla y lo han transformado en el procesador(CPU) de referencia en 2016. El renovado Snapdragon 830 que está desarrollando Qualcomm® contaría con ocho núcleos de nuevo, y se apuntaría también a la fabricación de 10(diez) nanómetros.

Este renovado procesador(CPU) ofrecería una arquitectura Kyro 200, así como la GPU Andreno 540 que sustituiría a la Andreno 530. También ofrecería compatibilidad para grabación 4K(3840×2160) a 60fps y memorias más rápidas LPDDR4X, así como el módem X16. Se espera que el competidor del Helio X30 sea anunciado antes de que termine este año, no en vano es probable que lo veamos en una de las versiones del renovado Samsung® Galaxy S8 junto al Exynos 8895 del que vamos a hablar a continuación.

Exynos 8895, preparado para 4K

El procesador(CPU) de Samsung® también se fabricaría en proceso de 10(diez) nanómetros, aumentaría su rapidez hasta los 3.0GHz y entre sus virtudes estaría sobre todo la enorme resistencia de su renovada GPU. Contaría con la nueva GPU Mali-G71, que según los test de desempeño sería hasta 1,8 veces más rápida que la Mali T880 usada en el reciente procesador(CPU) Exynos 8890 que montan los Galaxy S7 o Note 7.

Esta renovada GPU sería mucho más rápida que la Andreno 540 incluida por el Snapdragon® 830, según los resultados que se han anunciado en GFXBench. Esta renovada GPU Mali-G71 del Exynos 8895 usa una renovada arquitectura ARM Brifost, que está orientada a brindar un mejor desempeño en entornos de resolución 4K(3840×2160) y de realidad virtual, dos campos en los que precisamente el Samsung® Galaxy S8 podría crecer. Además este procesador mejoraría hasta en un 80% el desempeño a la hora de manejar fotografías tomadas con cámaras duales, una de las primordiales anécdotas que se espera del Galaxy S8.

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