Hynix prepara memoria interna de más capacidad para smartphones

Autor: | Posteado en Android Sin comentarios

Este año hemos conocido los primeros teléfonos con memoria interna de 256 GB, Cupertino (Apple) entre éstos con sus iPhone® 7(siete) y iPhone® 7(siete) Plus. Sin embargo, esta carrera por aumentar la capacidad del sistema de almacenamiento interno de este tipo de aparatos no se detiene y SK Hynix ya dispone de la tecnología y el método de producción para ir más allá. La compañía no ha indicado la capacidad, no obstante sí cuándo estarán disponibles, durante la 2.ª parte de 2017.

Aunque aún existen modelos con memoria interna de 8(ocho) GB, susceptibles a establecerse sin memoria rápidamente y causar muchos inconvenientes a sus propietarios, por fortuna las versiones estándar comienzan a situarse en los 32 GB. Sin embargo, los modelos más destacados de la gama alta han alcanzado cotas hasta hace poco impensables durante este año. Los casos más extremos son los de aquellos teléfonos con memoria interna de 256 GB.

Memoria interna para teléfonos por encima de los 256 GB

Si bien durante la 1.ª parte del próximo año se estandarizarán modelos con más memoria y esos modelos premium con 256 GB se harán cada vez más comunes, no debe extrañarnos si de cara a mitad de 2017 los productores introducen chips de memoria de mayor capacidad.Memoria interna <stro />iPhone</strong>® 6s” width=”720″ height=”460″ srcset=”http://www.movilzona.es//app/uploads/2015/06/iPhone-6s-memoria-interna.jpg 720w, http://www.movilzona.es//app/uploads/2015/06/iPhone-6s-memoria-interna-300×192.jpg 300w, http://www.movilzona.es//app/uploads/2015/06/iPhone-6s-memoria-interna-650×415.jpg 650w, http://www.movilzona.es//app/uploads/2015/06/iPhone-6s-memoria-interna-520×332.jpg 520w” sizes=”(max-width: 720px) 100vw, 720px”></p>
<p>Y es que SK Hynix, uno de los productores destacados y protagonistas en este sector, ya posee entre manos una renovada evolución de la tecnología que hace probable que dispongamos memoria flash de semejante capacidad. Según podemos estudiar en medios especializados en Corea del Sur, la compañía ya elabora chips de memoria NAND Flash 3D de 72 capas. Una evolución que, principalmente, aumentará la densidad de datos de los chips de memoria. De este modo, se hace probable la introducción de memoria de mayor capacidad en un chip del mismo tamaño o inclusive más pequeño, condición esencial en un móvil habida cuenta de la carrera por la miniaturización de los componentes.</p>
<p>Cabe destacar la enorme evolución en este tipo de memoria durante los últimos años. Y es que desde que los productores adoptaran la tecnología NAND 3D de 24 capas en 2013, desde entonces han pasado por las 32, 48 y 64 capas que recientemente utiliza, por ejemplo, <strong>Samsung</strong>® y Toshiba.</p>
<aside class='gaz_relnot_default gaz_relnot'>             <span class='gaz_relnot_image'>                 <a target='_blank' href='http://adf.ly/3494908/www.movilzona.es/2016/04/08/test-de-rendimiento-de-la-memoria-interna-del-samsung-galaxy-s7/?utm_source=related_posts&utm_medium=manual'>                     <img src='http://www.movilzona.es//app/uploads/2016/02/Samsung-memorias-165x100.jpg' alt='Test de desempeño de la memoria interna del <stro />Samsung</strong>® Galaxy S7’>                 </a>             </span>             </p>
<h3 class='gaz_relnot_title'>                 <a target='_blank' href='http://adf.ly/3494908/www.movilzona.es/2016/04/08/test-de-rendimiento-de-la-memoria-interna-del-samsung-galaxy-s7/?utm_source=related_posts&utm_medium=manual'>                     Test de desempeño de la memoria interna del <strong>Samsung</strong>® Galaxy S7                 </a>             </h3>
</aside>
<h2>Memoria físicamente más pequeña, no obstante más eficiente y de mayor capacidad</h2>
<p>No hay mayores detalles al respecto, no obstante es de aguardar que el desplazamiento de Hynix haga llegar a los teléfonos de 2017 memoria que bien podría superar los 480 o 512 GB. Del mismo modo, la optimización del proceso de fabricación fomentaría la fabricación de memorias más eficientes desde el punto de vista energético y habrá que mirar si aumenta su rendimiento.</p>
<p>Por ahora, <strong>Samsung</strong>® dispone de sus memorias con tecnología UFS 2.1 que se posicionan recientemente como las más rápidas del mercado, tal y como ha comprobado el elaborador en su propio <strong>Samsung</strong>® Galaxy S7.</p>
<p> </p>
</div>
<p>El capítulo <a rel=Hynix elabora memoria interna de más capacidad para smartphones se publicó en MovilZona.

MovilZona


Fuente del contenido original se encuentra más arriba (enlace), respetando todos los derechos de autor.

La prensa de Core i7

También puedes revisar estas noticias relacionadas.

Agrega tu comentario