Un test de rendimiento muestra que la memoria interna del iPhone 6s Plus es muy rápida

Autor: | Posteado en Android Sin comentarios

Las versiones “S” que Cupertino (Apple) lanza como revisión de los iPhone® suele ser indicativo de avances en el apartado de prestaciones. Así ha sucedido hasta la fecha y el iPhone® 6s comprueba nuevamente la inclinación del fabricante. Gran parte de sus elementos han sido mejorados tales como el procesador(CPU) o la cámara. Sin embargo, una prueba de desempeño a la vez nos señala que la memoria interna ha sufrido cambios que repercuten muy positivamente en el desempeño del smartphone.

El experimento ha sido llevado a cabo por el equipo de AnandTech, el cual ha puesto a prueba una unidad del iPhone® 6s Plus. Estas primeras pruebas se han centrado en un parámetro que hasta hace relativamente poco tiempo no había tenido enorme repercusión, no obstante que por su repercusión en la maestría de uso de este tipo de gadgets poco a poco va teniendo más importancia. Nos referimos a la rapidez de escritura y lectura de la memoria interna.

Los benchmarks muestran que el chip A9 de los iPhone® 6s sirve a 1,85GHz

iPhone 6s con procesador(CPU) A9Mejoras técnicas en la memoria del iPhone® 6s

Así, AnandTech nos exhibe de un modo muy gráfico cuál ha sido la mejora del iPhone® 6s Plus en este ámbito. Tanto que podemos mirar cómo la memoria interna integrada por el phablet de la firma es notablemente más rápida que la introducida en la previo generación de aparatos de la manzana mordida. Y es que el elaborador habría optado por un renovado sistema y controlador de memoria, una transformación del incluido en los MacBook, un sistema híbrido de memoria NAND SLC y TLC.

Algunos iPhone® 6s están experimentando problemas de sobrecalentamiento

El resultado de Cupertino (Apple) lo podemos considerar en una de las muchas gráficas expuestas en la siguiente galería. La 1.ª exhibe la rapidez de lectura secuencial en bloques de 256 KB de la memoria. Los resultados son de 402 MB/s, un dato principalmente elevado si tenemos en cuenta los 253 MB/s del iPhone® 6(seis) Plus y los 209 MB/s del Samsung® Galaxy S6.iPhone 6s batería

Resultados significativos

Los datos referentes a la memoria interna a la vez se refieren a la rapidez de escritura secuencial, donde la gráfica muestra un resultado de 163 MB/s. Nuevamente apelamos a la comparación con los del iPhone® 6(seis) Plus y Samsung® Galaxy S6, como se puede considerar en la tabla, entre otros tantos modelos.

Los iPhone® 6s y iPhone® 6s Plus lo consiguen de nuevo: baten récords de ventas

Podéis consultar el resto de datos y resultados en las otras gráficas proporcionadas por AnandTech. A falta de nuevas pruebas que certifiquen estos resultados, todo parece indicar que Cupertino (Apple) ha mejorado notablemente en un apartado donde Samsung® había destacado principalmente tras meter en práctica su ultima tecnología propietaria UFS. ¿En qué se notará esta mejora de la memoria interna del iPhone® 6s? Uno de los puntos sera en la propia maestría de usuario, no obstante a la vez en la transferencia de archivos.

iPhone 6s Plus memoria test (1) iPhone 6s Plus memoria test (2) iPhone 6s Plus memoria test (3) iPhone 6s Plus memoria test (4) iPhone 6s Plus memoria test (5)

El capítulo Un test de desempeño muestra que la memoria interna del iPhone® 6s Plus es muy rápida se publicó en MovilZona.

MovilZona


Fuente del contenido original se encuentra más arriba (enlace), respetando todos los derechos de autor.

La prensa de Core i7

También puedes revisar estas noticias relacionadas.

Agrega tu comentario